Veľké americké a japonské spoločnosti sa spojili s cieľom od roku 2018 začať vyrábať revolučné MRAM pamäte vo veľkých sériách (a lacno).
Viac ako dve desiatky technologických spoločností z USA a Japonska sa podľa informácií serveru Nikkei spojiť, aby od roku 2018 začali spoločne vo veľkom vyrábať pamäťové čipy typu MRAM. Tieto spájajú výhody súčasne používaných DRAM (vysoká rýchlosť) a NAND Flash (uchovávanie údajov aj po odpojení napájania). Všetky zúčastnené spoločnosti majú vyčleniť niekoľko vedcov a výskumníkov, ktorí budú pod vedením profesora z Tohoku University v Japonsku pracovať na všetkých aspektoch potrebných k zavedeniu sériovej výroby pamätí pre budúcu elektroniku.
V spoločnej organizácii majú byť spoločnosti pokrývajúce celý proces vývoja a výroby čipov, ako napríklad Micron, Renesas Electronics, Hitachi či Tokyo Electron (jeden z najväčších výrobcov nástrojov pre výrobu polovodičov).
Cieľom je do roku 2017 ukončiť výskum potrebný na to, aby sa od nasledujúceho roka, 2018, spustila veľkovýroba MRAM, čo by znamenalo zároveň prijateľné ceny a nasadenie v bežnej, spotrebnej elektronike.
Pamäte typu MRAM nespoliehajú ako konvenčné pamäťové bunky na uchovávanie elektrického náboja, ale pracujú so spinovým efektom elektrónov. Dáta teda uchovávajú vo forme magnetického stavu elementárnych častíc. MRAM by mali v budúcnosti nahradiť viacero dnes používaných druhov pamätí – NAND Flash, keďže dokážu uchovávať dáta permanentne, SRAM vďaka svojej rýchlosti a DRAM vďaka nízkym nákladom na výrobu. Hlavné využitie by si mali MRAM nájsť najprv v mobilných zariadeniach, ktoré by zrýchlili a im aj zároveň znížili spotrebu elektrickej energie.
Add new comment