standardnym problemom pri vyrobe je necistota aj po zonalnej tavbe, ktora tam je vzdy takze to je prvy faktor ktory znizuje pocet spravnych cipov ale len minimalne, druhy faktor je menej dolezity to je vytvaranie prvej vrstvy kde je este fotolitografia bez nejakych vacsich problemov, jediny problem je pri dotovani ako napisal snake, a dalsi pri implataciach, pretoze ionove implantatory tiez niesu dokonale stroje co znamna ze na 100% vam nikto nedokaze povedat ako a kde presne sa posunu atomy a porusi sa struktura... A pri 45nm su problemy pri vytvarani dalsich vrstiev pretoze ak mam napr 50 vrstiev a na kazdej je aplikovany dalsi fotolitograficky proces a dalsie implatnacie a dyfuzie. a tam nastavaju problemy pretoze ked sa technologia a presnost fotolitografie zmensuju dnes dajme tomu na 45nm tak aj medzivrstvove spoje su kratsie a priestor medzi vrstvami je mensi a tak isto sa musia vsetky procesy upravit a pri vyrobe jedneho CPU mate cez 300 krokov tak si podaktori viete predstavit tie rizika poskodenia... atd atd atd....
tak prosim vas /tych ktori tu pisu o necistotach - tj marfy/ nech netrepu!, dnes nieje problem necistota ale presnost pri nano rozmeroch
misak007