EN

Najmenší tranzistor má iba 1 nanometer

 
Podarilo sa úspešne vyrobiť funkčný tranzistor s dĺžkou brány iba 1 nanometer. Ide o najmenší funkčný tranzistor na svete.

Poslednou dobou sa často spomína Moorov zákon, o ktorom sa hovorí, že je už mŕtvy. Zmenšovanie výrobného procesu sa totiž už nedarí udržiavať v konštantnom tempe a o 5nm hranici sa hovorí ako o prvej kedy sa už nebudú dať použiť tranzistory tradičnej konštrukcie z kremíka. Hľadajú sa preto alternatívne metódy a materiály, a vedci z Lawrence Berkeley National Laboratory (LBNL) teraz možno našli horúceho kandidáta nakoľko vyrobili najmenší tranzistor na svete s dĺžkou brány iba 1 nm. Pre porovnanie – jeden ľudský vlas má hrúbku asi 50 000 nm.
 
 
Súčasné procesory sú vyrábané najmenej 14nm výrobným procesom s tým, že budúci rok budeme svedkami príchodu 10nm procesorov. Tieto čísla však nie celkom odrážajú skutočnú veľkosť tranzistorov a už vôbec nie ich brán. Tie majú asi 2-násobnú dĺžku. Pri 7nm procesoroch postavených na kremíku sa už predpokladá, že jednotlivé tranzistory budú pri sebe tak blízko, že elektróny môžu vykazovať jav známy ako kvantové tunelovanie a budú prechádzať z jednej brány do druhej.
 
V LBNL použili pre polovodič namiesto kremíka MoS2 (disulfid molybdénu) aby mohli vyrobiť tranzistor s 1nm bránou. Brána bola vyrobená z dutých uhlíkových nanotrubiek a kontrolovala tok elektrónov. Tranzistor bol tak funkčný a plnil svoju úlohu. V bežných procesoroch, ktoré majú aj viac ako miliardu tranzistorov ho však tak skoro neuvidíme. Vedci zatiaľ nie sú schopní použiť takéto tranzistory v čipe a masová produkcia je tak ešte vzdialená. Výskum sa však sústredí na hľadanie alternatívnych materiálov pre výrobu procesorov s použitím 5nm procesu a menším.
 
Zdroj: theverge
 
Komentáre (1)
Pjetro de
1) ....tie majú asi 3-násobnú dĺžku, nie 2-nasobnú 2) Tieto čísla však nie celkom odrážajú skutočnú veľkosť tranzistorov a už vôbec nie ich brán - tak hadam opacne nie? Tieto čísla však nie celkom odrážajú skutočnú veľkosť brán tranzistorov a už vôbec nie celých tranzistrov. 3) Takze dnes je pri najpokrokovejsich vyrobnych procesoch (marketingovo z prsta vycucane hausnumera 14/16 nm) sirka brany cca 40 nm. Pri marketingovych 5 nm to bude cca 15 nm a aby to bolo V SKUTOCNOSTI 1 nm, marketingovy nazov vyrobnej technologie by musel niest podla dnesnych zvyklosti nazov 1/3 (TRETINA) nm !!!!!!!!! Otazka hranice 5 nm je: tych 5 nm je myslene marketingovo (teda realne 15 nm velksot brany), alebo ozaj 5 nm velkost brany, pretoze tam by markatingovy nazov musel byt 2 nm alebo 1,5 nm !!! 4) ... budú prechádzať z jednej brány do druhej - tak to asi nie, to prejdu z brany tranzostora X do brany tranzistora Y, alebo medzi dvoma 3D branami jedneho tranzistora? Prechadzat mozu akurat medzi kolektorom a emitorom elektronov (to su tie dva konce preruseneho el. odvodu 40 nm fugou). Brana unipolarneho FET tranzistora je vlastne iba preruseny kontakt vo vedeni el. prudu. Toto presusenie el. obvodu ma dnes REALNU dlzku cca 40 nm, menej zatial nevieme, chystame sa na cca 30 nm. 5) Kedze iba brana ma dnes cca 40 nm, je dost logicke, ze samotne tranzistory budu este vacsie, staci zapojit rozum. Uz pri pohlade na intelovske 3D FinFET tranzistory nam to hovori, ze to budu stovky nm (ignorujem medzery medzi tranzistormi). Pocitajme: na 2 cm^2 (stvorcek 14 mm x 14 mm) sa dnes zmesti cca 3 miliardy tranzistorov. 2 cm^2 = 200 000 000 000 000 nm^2, takze na jeden trazistor to je cca 66666 nm^2, teda ploska s rozmermi az 258 nm x 258 nm ! ANO, take velke su dnes tranzostory: medzi 200 a 300 nm pri marketingovych nazvom 14/16 nm !!!
Pridať nový komentár
TOPlist