Porovnanie špecifikácií SSD
Pokým parametre GOODRAM SSD C100 prezentované v online katalógu sú pomerne jasné (až na príliš nízku priemernú spotrebu SSD), sekvenčný výkon prezentovaný na stránke výrobcu je dokonca vyšší ako deklaruje výrobca radiča (MLC sequential R/W speed up to 520/460 MB/s).
Na stránke udávanú výkonnostnú špecifikáciu nám potvrdil aj produktový manažér spoločnosti GOODRAM, ktorý nám zaslal nimi namerané hodnoty.
Samsung v prípade série SSD 840 EVO uvádza okrem štandardných výkonnostných parametrov aj výkon náhodného čítania a zápisu 4KB blokov dát pri QD1. Vysoký náhodný výkon SSD pri nízkej záťaži by mal zabezpečiť badateľnejšie lepšiu odozvu systému.
prehľad špecifikácií testovaných 240GB až 256GB SSD
V zjednodušenom prehľade špecifikácií testovaných 240GB až 256GB SSD dominuje Samsung 840 EVO nad GOODRAM C100 v prípade rýchlosti sekvenčného zápisu vďaka 3 GB TurboWrite bufru (po ktorého zaplnení však klesne rýchlosť sekvenčného zápisu na 270 MB/s) a takmer dvojnásobným počtom náhodne prečítaných 4k blokov dát vďaka vysokému výkonu radiča MEX. Na oba 2,5" SATA 6 Gbit/s SSD je zhodne poskytovaná trojročná záruka s tým, že SSD Samsung by mal byť na základe udávanej strednej doby medzi chybami spoľahlivejším diskom. Ten však používa TLC NAND flash s približne tretinovou životnosťou oproti MLC NAND flash Toshiba, použitých v SSD GOODRAM, ktoré by mali zvládnuť 3 000 cyklov zápisu/mazania.
Oba testované SSD patria z pohľadu poskytovanej záruky a predajnej ceny do kategórie výkonných diskov strednej triedy, v rámci ktorej budú súperiť s SSD Kingston KC300, Seagate 600, OCZ Vertex 450, Crucial M500 a Intel SSD 335 Series. Rovnako ako doposiaľ testujeme na identickej zostave preverenou metodikou. Súboj môže začať.
xsi69
OVERLORD
elementar