SK

IBM má 7nm čip

 
Popredná technologická spoločnosť IBM oznámila, že úspešne vyrobila čip 7nm výrobným procesom. Má nižšiu spotrebu a môže mať až 4-násobný výkon oproti súčasným čipom.

Zatiaľ čo súčasné, masovo vyrábané procesory sú vyrábané 14nm procesom a pomaly sa pripravuje prechod na 10nm výrobu, IBM má už hotový čip vyrobený 7nm FinFET procesom. Pre porovnanie – reťazec DNA má hrúbku v priemere 2,5nm.
 
 
IBM sa úspešne podarilo vyrobiť takýto čip aj vďaka použitiu zlúčeniny kremíka a germánia namiesto využitia iba čistého kremíka. Táto zlúčenina umožňuje rýchlejšie meniť tranzistorom svoj stav a taktiež spotrebuje menej energie.
 
Spoločnosť tvrdí, že čip vyrobený 7nm procesom by mohol byť až o polovicu menši ako čipy vyrobené 10nm procesom, pričom výkon sa zvýši minimálne o 50% pri rovnakej spotrebe. Malo by tiež byť možné vyrobiť čip s 20 miliardami tranzistorov, ktorý by poskytol až 4-násobný výkon oproti súčasným čipom.
 
Vyzerá to tak, že Moorov zákon sa drží zubami-nechtami. Podľa prognóz IBM bude v platnosti minimálne do roku 2018 a bude teda možné každé 2 roky zdvojnásobiť počet tranzistorov. Súčasný 7nm čip je ešte stále v štádiu vývoja a o komerčnej výrobe sa zatiaľ nehovorí. Vzhľadom na to, že ešte čakáme na 10nm čipy si na 7nm produkty počkáme asi ešte dlho.
 
Zdroj: techreport
 
Komentáre (6)
Pjetro de
7 nm cip (ci skor 7 nm vyrobna technologia) je tak nicnehovoriaci pojem jak "dobrá vôľa". Zhruba pri 20 nm (nech sa tym mysli cokolvek - ja netusim co) nastala absolutna devalvacia pojmu nanometer a PR oddelenia a marketing nas budu aj nadalej masirovat a bombardovat uzasnymi pojmami o 10-7-5 ci aj 2 nm cipoch. Ale pravda je takato: http://diit.cz/clanek/14nm-proces-infografika odporucam aj clanok http://diit.cz/clanek/zazraky-intelu-14nm-proces-z-16nm-pres-noc Je verejne tajomstvo, ze napr. "20 nm vyroba" (SOI ci bulk) TSCM skrachovala a "16 nm vyroba" FinFET (3D tranzistory) TSMC je len vylepsena 20 nm, pretoze sa takmer nic rozmerovo nemenilo. Iba v marketingu a papierovch svetoch. Detto "14/16 nm vyroba" FinFET (3D tranzistory) Sansungu a GlobalFoundries je len vylepsena "20 nm vyroba". Okrem toho XYZ - nm vyroba AKEHOKOLVEK vyrobcu cipv (cudujme sa svete ani Intelu) absolutne nic nehovori o rozmere celeho tranzistoru. Uz len vzdlalenosti medzi hradlami su desiatky nm a cely tranzistor ma na kazdy rozmer 2-3 stovky nm. Spominat sirku DNA (cca 25 atomov) je dost zcestne. Detto 7 nm (asi 70 "takych priemernych" atomov) je cisto marketingovy nastroj. Ak by mali tranzistory naozaj rozmer napr. 14 nm x 14 nm, tak na plochu 1,5 cm x 1,5 cm by sa ich zmestilo vyse 10^18 (miliarda miliard) co je absolut nonsens. Aj ked budem pocitat velke nasobky na medzery alebo ine rezervy a nevyuzite miesta na samotnom cipe, stale sme o neskutocne rády mimo realitu.
Shatterhand
Vidím že sa vyznáš...v podstate máš pravdu, je to marketing, 10^18 tranzistorov by sa tam pri 14x14 nm ja tak nezmestilo, sám vieš, že prečo. Ale s tými vzdialenosťami pravdu nemáš, v tom si mimo.
SiliconX
Diit nepovazuj za adekvatny zdroj informacii. Praveze Intel ako jediny ma 14 nm proces aj pre vysokotaktovane a velkoplosne chipy, kde aj denzita odpoveda skutocnosti. Uvedom si, ze pri 3D profile procesu nie je mozne povazovat velkost hradla tranzistora za relevantny parameter pre urcenie velkosti procesu, ale prave Intel ma k nemu vzhladom na denzitu najblizsie. Ako pises, 14/16 nm proces FinFET Samsungu/GF/TSCM je len preklopeny 20 nm do 3D, tomu odpoveda aj densita, ktora je takmer rovnaka, rozujem +- rovnaky pocet tranzistorov na rovnaku plochu. Tranzitor nie je len hradlo, to co pises je nezmysel, nikdy nebude mat samotny tranzitor 14 nm, tranzisotor je aj o kolektore a baze.
Pjetro de
Sak to je jasne jak facka. Ked su ale rozmery hradla desiatky nm a celeho tranzistora stovky nm, nechapem co tam ma tych 7/10/14 nm ..... Takisto je jasne aj to, ze Intelosky 14 nm proces je najblizsie k tomu jak to bolo chapane v casoch 22-32-45-65-90-130-180-250-350-500 ... nm na rozdiel od TSCM a ostatnych. V roku 2030 bude marketingovy 3 nm proces, ktory bude vlastne super-vylepseny 10 nm v dnesnom zmysle.....
Shatterhand
No...treba si vlastne ujasniť čo chceš povedať, lebo "rozmery hradla desiatky nm a celého tranzistora stovky nm" je tiež dosť scestné, že ano. Tie stovky nanometrov sú dĺžka hradla, nie jeho šírka - to je dosť podstatné, a tá dĺžka je len preto tak veľká, lebo to hradlo je akoby zdieľané pre viac tranzistorov- je to proste pod mikroskopom akoby jeden dlhý "múrik". Takže vyprávať o rozmere tranzistora ako stovky nanometrov je nezmysel. Tu to krásne vidíš - https://upload.wikimedia.org/wikipedia/en/f/f7/Trigate.jpg A tých 7/10/14 nm a pod. je ekvivalentné zmenšenie procesu...ešte si zisti čo vlastne to číslo znamená... . Zisti si rozdiel medzi node, half pitch a aká je reálna najmenšia šírka čiary.
V2
ta rucicka co drzi 7 nm chip, musi byt velmi mala.
Add new comment
TOPlist