V teste si predstavíme dvojicu 4GB dual-channel kitov DDR3 pamätí od Wilk Elektronik. Jeden je pár o celkom bežných špecifikácií 1333MHz @ CL9 s výborným talentom na pretaktovanie, druhý sľubuje 1600MHz pri CL8 a pridáva hliníkové chladiče. Cena je pritom celkom bežná, ako u iných kitov o tejto kapacite.
Úvod
S pamäťami od poľskej spoločnosti Wilk Elektronik ste sa už na našich stránkach neraz stretli, mnohí poznáte GoodRAM aj ako sponzora našich pravidelných LAN párty. Predstavovať vás teda nemusím, prejdeme rovno k dnešným hrdinom.
Wilk nám zaslal na test dva štvorgigabajtové dual-channel kit-y DDR3 pamätí, teda v súčasnosti najpredávanejšiu kapacitu a kombináciu. Obe mainstream platformy – AM3 od AMD a LGA1156 od Intel-u, totiž využívajú práve dvojkanálové zapojenie DDR3 RAM. Zatiaľ čo u Intel procesorov stále platí „obmedzenie“ na 1,65V pre pamäte, u AMD čipov je pamäťový radič tolerantnejší a umožňuje nastaviť aj podstatne vyššie napätia. Obmedzenie pre Intel je v úvodzovkách preto, lebo aj toto sa dá obísť – stačí ak sa dodrží rozdiel maximálne 0,5V medzi napätím pre RAM a napätím pre QPI/Dram, potom je možné pridať aj cez 1,65V. Výrobcovia pamätí sa ale držia špecifikácie 1,65V, preto preveríme moduly aj na tomto napätí.
Tento test bude tak trocha iný oproti predošlým testom RAM modulov. Netestoval som totiž na pamäťovom radiči Intel, ale na radiči integrovanom v AMD procesore. Ten nebýva schopný popohnať frekvencie tak vysoko, ako je to u Intelu, no v najnovšej optimalizovanej verzii v Phenom II X6 už dokáže celkom pekné kúsky. Okrem pamätí si teda preklepneme aj nový radič.
Pár slov o časovaniach RAM pamätí
V článku sa bude spomínať často pojem časovanie. Myslia sa pod tým niektoré parametre RAM pamätí, pričom nastavujú sa najčastejšie iba tie najhlavnejšie, ktorých funkciu si trocha priblížime. Všetky ostatné podružné časovania nechávam na základnú dosku, ktorá si ich nastaví podľa ostatných parametrov.
Často skloňované slovo je latencia. Latencia predstavuje čas medzi vytvorením požiadavky a odpoveďou na ňu. Celkom samozrejmé je, že čím je latencia nižšia, tým je pamäť rýchlejšie schopná vybavovať požiadavky a tým aj celkový výkon systému je vyšší. Latencia je meraná v nanosekundách, presný údaj nám poskytne napríklad test pamäte v programe Everest. Celková latencia je ovplyvňovaná viacerými ďalšími parametreami.
CAS Latency- súvisiace dáta sú často uložené v pamäti „za sebou“ (sekvenčne – v rovnakom riadku), pamäťový radič preto potrebuje pri prístupe k nim vybrať iba ďalší stĺpec v danom rade. CAS latencia je teda čas (v taktoch – clock cycle) od vyslania CAS signálu až po dostupnosť dát na pinoch pamäte. Latencia medzi prístupmi k stĺpcom hrá dôležitú úlohu vo výkone pamätí a opäť platí, že čím je nižšia, tým lepšie.
tRCD – na rozdiel od predchádzajúceho parametra sa tRCD týka skôr náhodného prístupu k pamäti. tRCD totiž predstavuje čas od aktivačného signálu až po aktiváciu konkrétneho riadka a stĺpca v pamäti a sprístupnenie bunky na čítanie alebo zápis. Ak sú dáta pristupované sekvenčne, za sebou, je daný riadok už aktivovaný a tRCD nemá veľký vplyv na výkon. Ak sa však musia často deaktivovať riadky v pamäti a aktivovať nové, bude nízka hodnota tRCD k úžitku.
tRP – podobne ako tRCD sa týka riadkov v pamäti. tRP reprezentuje čas nutný na deaktiváciu jedného riadku a aktiváciu nasledujúceho vedľajšieho riadku.
tRAS – pamäť je organizovaná v tzv. banks , alebo bunkách. Sú to v podstate kombinácie riadkov a stĺpcov. Ak chce radič pristupovať k pamäti, musí najprv určiť ktorý bank alebo riadok má byť aktivovaný a následne ho aj aktivovať RAS signálom. Po aktivácii je možné k dátam pristupovať. Typicky je to súčet predošlých hodnôt.
Command Rate – tento parameter by sa zjednodušene dal nazvať aj ako čas, za ktorý sa „nájde“ správna bunka. Je to čas od vyslania Chip Select (CS) signálu až do vysielania prvých dát do pamäte od radiča. Nastavenie 1T znamená že vyhľadanie trvá jeden takt, 2T zas dva takty.
Nameless
meijin