Intel s Micron pracujú na "3D pamäti", vďaka čomu by sa kapacita SSD mala čoskoro dostať cez 10TB.
Intel a Micron tvrdia, že tradičné, planárne NAND pamäte dosahujú svoj technologický vrchol a nemajú už priestor na vylepšenia. Túto technológiu tak vystriedajú 3D pamäťové bunky, ktoré otvoria dvere ďalším inováciám.
3D pamäte, ktoré vyvíjajú tieto 2 spoločnosti sú založené na "plávajúcom hradle". To umožní výrobu flash pamäťových buniek, ktoré môžu byť naskladané na seba v počte až 32 kusov. Výsledkom tak bude 256Gb (32GB) MLC a 384Gb (48GB) TLC kapacita na bunku, ktoré sa stále vmestia do štandardných puzdier. Ide o výrazný nárast kapacity nakoľko existujúce Samsung TLC V-NAND používajú iba 128Gb (16GB) na die.
Viceprezident Intel divízie pre vývoj energeticky nezávislých pamätí, Giri Giridhar, prezradil, že ich 3D bunky sú elektricky ekvivalentné s planarnými bunkami postavenými na 50nm výrobnom procese. Veľkosť výrobného procesu síce neprezradil, no 3D V-NAND u Samsung používajú 40nm a tak sa aj u Intel a Micron pamätí očakáva podobná hodnota.
Postupom času by tak aj malé SSD do M.2 slotu mohli mať kapacitu až 3,5TB. Klasické 2,5" SSD by sa mali dostať až cez 10TB čo nie je ešte bežné ani u klasických pevných diskov. Nepôjde však len o výrazný nárast kapacity. Takéto SSD by mali poskytovať vyšší výkon, nižšie výrobné náklady a technológie, ktoré predlžia životnosť pamäte.
Momentálne sú už produkované vzorky 3D NAND pamätí a masová výrobca je naplánovaná na druhú polovicu roka 2015.
Zdroj: hothardware
Ondro1
SAMiam