Podarilo sa vyrobiť tranzistor iba 3 atómy hrubý

 

Vedcom z Cornellovej univerzity sa podaril husársky kúsok. Vyrobili tranzistor, ktorý má hrúbku iba 3 atómy.

Nový prielom v oblasti výroby tenkých tranzistorov bol publikovaný v časopise Nature. Tranzistor sa podarilo vyrobiť z experimentálneho materiálu, ktorý je známy ako transition metal dichalcogenide (TDM). Ide o veľmi tenký materiál, ktorý je však vodivý a jeho vlastnosti sú vhodné na tvorbu solárnych buniek, detektorov svetla i polovodičov. 

 

 

Výskumníci použili nový spôsob výroby TDM, vďaka čomu bol materiál viac stabilný ako pri predchádzajúcom spôsobe výroby. Použili priemyselnú techniku známu ako chemická depozícia kovu z pár. Proces začína za pomoci dietylsiričitanu a kovovej zlúčeniny hexakarbonylu. Tieto 2 látky sú zmiešané na kremíkovom wafer-y a vystavené teplote 550°C po dobu 26 hodín v prítomnosti vodíka. Výsledkom bolo pole 200 ultra-tenkých tranzistorov, ktoré vykazovali dobrú pohyblivosť elektrónov a iba niekoľko defektných kusov. Defektné boli konkrétne iba 2 tranzistory čo znamená, že proces bol úspešný na 99%.

 

Ide o nevídaný úspech v produkcii tenkého tranzistora pomocou TDM, no vedci musia ešte odladiť výrobu aby zabezpečili, že tranzistory môžu byť takto vyrábané naozaj dôkladne (s malým množstvom chybových kusov) a vo veľkom. Ak sa podarí vyriešiť všetky problémy jedného dňa by sme sa mohli dočkať obvodov hrubých iba niekoľko atómov. Konkurentom TDM je grafén, ktorý je tiež horúcim kandidátom na náhradu kremíka. Uvidíme, ktorý prvok sa nakoniec presadí. Obe technológie sú však ešte roky vzdialené od komerčného nasadenia.

 

Zdroj: theverge