Qualcomm 30. novembra prinesie nový vlajkový čip , ktorý sa bude volať Snapdragon 8 Gen 1.
Leaker Digital Chat Station tvrdí, že niektoré telefóny s novým SoC budú môcť ponúknuť 150W rýchle nabíjanie, ale ich príchod je naplánovaný na neskôr, pretože prvá várka čipov nie je pripravená podporovať takéto rýchlosti. Samozrejme, už pri terajších nabíjacích výkonoch (zhruba nad 40-50W) sa hovorí, že rýchlo opotrebujú batériu a jej starnutie sa rapídne zrýchli.
Leaker tvrdí, že Qualcomm poskytne podporu rýchlosti až 150W, ktoré sa dostanú na trh koncom roka 2021, takže budú napájať zariadenia, uvedené na trh v 1. štvrťroku 2022. Vďaka tomu budú môcť smartfóny naplniť svoje batérie už za 10 minút. Súčasný štandard Quick Charge 5 umožňuje nabíjanie rýchlosťou, ktorá sa dostane z 0 na 50% za 5 minút prostredníctvom tzv. technológie „Dual Charge“. Tá obsahuje 12 samostatných napäťových, prúdových a teplotných ochrán, ktoré zabezpečujú bezchybný výkon, a očakávame, že nový štandard v Snapdragone 8 Gen 1 bude veľmi výkonný, aby poskytoval uvádzané 150W rýchlosti.
Pridať nový komentár