EN

Samsung vyrobil prvé 8 GB LPDDR4 pamäte pre smartfóny

 
Smartfóny s 8 GB operačnou pamäťou sú už len krôčik od reality. K ich príchodu dopomôžu aj prvé LPDDR4 pamäte od Samsungu na svete s kapacitou 8 GB.

Juhokórejský Samsung nie je žiadny amatér vo výrobe pamäťových čipov a decembri 2014 ako prvý na svete predstavil 4 GB LPDDR4 DRAM pamäťové čipy, ktoré umožnili vznik smartfónov so 4 GB RAM a neskôr s až 6GB RAM. Nasledujúcim logickým krokom je tak 8 GB RAM a vďaka novým pamätiam to nebude žiadny problém.
 
 
Nové DRAM pamäťové puzdra Samsungu obsahujú 4 LPDDR4 pamäťové čipy pričom každý má kapacitu 16 Gb. Čipy sú vyrábané 10nm procesom a celá pamäť poskytne priepustnosť 4266 Mbps. Navyše, nové 8 GB pamäte budú asi rovnako energeticky náročné ako staršie 20nm 4 GB LPDDR4 pamäte.
 
Samsung zatiaľ neprezradil, kedy sprístupni tieto pamäte výrobcom hardvéru, no prezradil, čo od pamätí očakávať. Tablety a smartfóny vybavené takýmito pamäťami poskytnú plynulejšie prehrávanie 4K videa a výrazne sa im zvýši schopnosť virtualizácie. 
 
Zdroj: tweaktown
 
Komentáre (1)
Pjetro de
chyby: 1) Čipy sú vyrábané "10 nm - class" procesom, marketingove oznacenie "10 nm - class" neznamena 10 nm, ale 1x nm, kde x je dekadicka cifra. Teda hocico medzi 10 a 19 nm! Analogicky marketingovy nazov "20 nm - class" je hocico medzi 20 a 29 nm. 2) Celá pamäť poskytne priepustnosť 4266 Mbps - tak to asi nie. To by sme si pri zavratnej priepustnosti 4266 Mbps = 533 MB/s asi vela neuzili, pretoze uz aj najpomalsie DDR2 pred 15 rokmi davali 2 GB/s ze ano a 533 MB/s dnes mavaju SSDcka pre SATAIII a nie RAMky. 4266 Mbps (ono demetne martetingove 4266 tzv. "MHz") je priepustnost na jeden bit zbernice. To platilo a plati zatial VZDY pri RAM a VRAM. No a kedze RAM maju 64-bit zbernicu na jeden kanal (no jo s ECC sa to vysplha na 72 bit), tak to mame (4266*64)/8 = vyse 34 GB/s na jeden kanal.
Pridať nový komentár
TOPlist