Vyrobené 30nm technológiou, vyše 2GHz pre napätí 1,2V.
Prvé zmienky od DDR4 pamätiach pre RAM moduly do počítačov sa objavili na našich stránkach už v lete minulého roka. Vtedy sa hovorilo o dokončovaní špecifikácií, pričom prvé pamäte sa očakávali až budúci rok, teda teraz - 2011. Z fabrík Samsungu už dnes vyšli prvé DDR4 pamäte postavené na 30nm technológii. Ich frekvencia je 2133MHz pri napätí 1,2V, presne ako sa uvádza v predfinálnych špecifikáciách. DDR4 by mali mať takty až cez 4GHz (4266MHz).
Vďaka nižšiemu napätiu by mala klesnúť spotreba v notebookových verziách až o 40% oproti súčasným DDR3 na 1,5V. Okrem 1,2V sa však ráta aj s úspornejšími verziami na 1,1V až 1,05V.
Pri stavbe DDR4 pamätí sa využila technika Pseudo Open Drain (POD). Tá sa objavila už pri grafických pamätiach GDDR4 a zabezpečuje približne polovičnú spotrebu elektrického prúdu pri čítaní a zapisovaní dát oproti DDR3.
Prvé vyrobené moduly s kapacitou 2GiB a napätím 1,2V momentálne putujú k výrobcom pamäťových radičov na testovanie s budúcimi produktmi. Taktiež sa čaká na organizáciu JEDEC, ktorá by mala sfinalizovať špecifikácie.
Zdroj: TechPowerUp
amd_sk
landrower
Trunks
Eddward
passco