EN

MRAM 500x rýchlejšia ako NAND flash

Vývojári sa už roky snažia vyrobiť pamäť, ktorá by bola rýchlejšia, lacnejšia, mala nízku odozvu a spotrebu. Everspin sa v tomto pohol o krok ďalej.

NAND čipy sú síce rýchle, ale stále sú ďaleko od pomyselnej dokonalosti. Počet read/write cyklov a schopnosť udržat dáta bez napájania sú čoraz väčším problémom pri zmenšovaní výrobného procesu. No Everspin sa pohol o kúsok ďalej a začína dodávať prvé 64 MB ST-MRAM DDR3. Prvé moduly majú 1600 MHz no latencia je oveľa nižšia ako pri flash RAM. Everspin deklaruje, že výkon majú až o 500x vyšší ako terajšie NAND.


ST (Spin Torque) technológia používa na zápis oveľa menej energie ako bežné MRAM čo vedie ku zníženiu spotreby. Hlavná výhoda MRAM je, že po zápise sa dáta nemusia obnovovať. MRAM udržiava dáta aj pri vypnutom stave. Masová produkcia je vzdialená na míle, pretože technológia zatiaľ dovoľuje dať na jeden modul len 64 MB. No to neznamená, že terajší pokrok sa už nedá využiť. Využitie by mohla ST-MRAM nájsť v zariadeniach, ktoré majú malé pamäťové nároky.

Zdroj: extremetech.com

Komentáre (1)
lacikaboss
keby sa do toho opreli uz o 2 roky mozeme mat pevne disky s MRAM.. (sice drahe jak s***a a nenazrane.. ale mali :D)
Pridať nový komentár
TOPlist