Najmenší tranzistor má iba 1 nanometer

1) ....tie majú asi 3-násobnú dĺžku, nie 2-nasobnú 2) Tieto čísla však nie celkom odrážajú skutočnú veľkosť tranzistorov a už vôbec nie ich brán - tak hadam opacne nie? Tieto čísla však nie celkom odrážajú skutočnú veľkosť brán tranzistorov a už vôbec nie celých tranzistrov. 3) Takze dnes je pri najpokrokovejsich vyrobnych procesoch (marketingovo z prsta vycucane hausnumera 14/16 nm) sirka brany cca 40 nm. Pri marketingovych 5 nm to bude cca 15 nm a aby to bolo V SKUTOCNOSTI 1 nm, marketingovy nazov vyrobnej technologie by musel niest podla dnesnych zvyklosti nazov 1/3 (TRETINA) nm !!!!!!!!! Otazka hranice 5 nm je: tych 5 nm je myslene marketingovo (teda realne 15 nm velksot brany), alebo ozaj 5 nm velkost brany, pretoze tam by markatingovy nazov musel byt 2 nm alebo 1,5 nm !!! 4) ... budú prechádzať z jednej brány do druhej - tak to asi nie, to prejdu z brany tranzostora X do brany tranzistora Y, alebo medzi dvoma 3D branami jedneho tranzistora? Prechadzat mozu akurat medzi kolektorom a emitorom elektronov (to su tie dva konce preruseneho el. odvodu 40 nm fugou). Brana unipolarneho FET tranzistora je vlastne iba preruseny kontakt vo vedeni el. prudu. Toto presusenie el. obvodu ma dnes REALNU dlzku cca 40 nm, menej zatial nevieme, chystame sa na cca 30 nm. 5) Kedze iba brana ma dnes cca 40 nm, je dost logicke, ze samotne tranzistory budu este vacsie, staci zapojit rozum. Uz pri pohlade na intelovske 3D FinFET tranzistory nam to hovori, ze to budu stovky nm (ignorujem medzery medzi tranzistormi). Pocitajme: na 2 cm^2 (stvorcek 14 mm x 14 mm) sa dnes zmesti cca 3 miliardy tranzistorov. 2 cm^2 = 200 000 000 000 000 nm^2, takze na jeden trazistor to je cca 66666 nm^2, teda ploska s rozmermi az 258 nm x 258 nm ! ANO, take velke su dnes tranzostory: medzi 200 a 300 nm pri marketingovych nazvom 14/16 nm !!!