SK

IBM a spol. od 2009 s 32nm procesom

IBM oznámila spoločne s partnermi AMD, Chartered Semiconductor Manufacturing, Freescale, Samsung a Infineon, ktorý sa takisto podieľali na vývoji, že sa im podarilo vyvinúť novú metódu na rýchlejšiu implementáciu ich 32nm procesu s High-K dielektrikom, Metal Gates a Silicon on Insulator technológiou (SIO).Nová metóda je založená na tzv. "High-K Gate-first" procese, vďaka ktorej sa má otvoriť rýchlejšia a jednoduchšia cesta k 32nm s High-K/Metal Gate technológiou. Obyčajne sa najprv osadí Gate ("Gate-first"). Podľa Gate pozícii sa potom bez problémov umiestnia Source a Drain (self-alignment). Tu však nastáva problém. Dotovanie Source a Drain oblastí sa uskutočňuje pri teplotách, ktoré doterajším polysilicon Gates nevadilo, avšak Metal Gates vadí a tým spôsobuje problémy. Intel musel preto už pri výrobe svojich Penryn/Yorkfield procesorov vyrábaných v 45nm procese (P1266) vsadiť na "Gate-last" (=Gate posledné). IBM sa tento problém podľa všetkého podarilo obísť.



32nm proces sa bude môcť použiť pri širokej škále produktov - od mobilných zariadení po výrobu serverových procesorov, ako je napríklad IBM Power séria. Pokiaľ prebehne všetko podľa plánu, tak bude možné využiť 32nm proces od druhej polovici roku 2009. Konkurent Intel chce tiež koncom roku 2009 prejsť na 32nm proces.



(32nm testovací
SRAM čip s High-K/Metal Gate a SOI od IBM)

Oproti predchádzajúcemu 45nm výrobnému procesu, ktorý bol v januári predstavený a využívať sa má až začiatkom budúceho roku - 2008, dosahuje 32nm proces 50% zmenšenia čipu (teda skoro ideálne zmenšenie). Vďaka High-K/Metal Gate technológii si sľubujú vývojári v priemere 45% zníženie spotreby. Okrem toho vsadí IBM na "Airgap" (vákuum na interconnect layeroch), vďaka ktorému sa dá rapídne redukovať RC-Delay. Výrobcom procesorov sa má otvoriť možnosť zvýšiť výkon svojich procesorov o 30%.

Na predvedenie 32nm procesu sa použila, ako je zvykom, jedna v danom procese vyrobená SRAM bunka. Jej veľkosť je vďaka novému výrobnému procesu menej ako 0,15 µm². Pre porovnanie. Intel prezentoval so svojím 32nm procesom (P1268) 0,182 µm² SRAM bunky.

Zdroj: IBM.com
Add new comment
TOPlist